1: 00001 Theo lý thuyết dải năng lượng của vật chất tưthì độ rộng vùng cấm EG của chất bán dẫn có giá trị:

_a.       EG  =  0eV ÷ 2eV

2. 00002 Các tính chất vật lý điện cơ bản của chất điện môi là: hằng số điện môi ε, độ tổn hao điện môi (Pa), độ bền về điện Eđ.t., nhiệt độ chịu đựng và điện trở cách điện.

_a. Đúng

3. 00003 Dựa theo lịch sử phát triển của công nghệ điện tử thì cấu kiện điện tử được chia làm 5 loại là cấu kiện điện tử. chân không, cấu kiện điện tử bán dẫn, cấu kiện vi mạch, cấu kiện điện tử nanô.

a. Đúng

4. 00004 Hệ số nhiệt của điện trở suất α biểu thị:

$                      Sự thay đổi của điện trở suất khi nhiệt độ thay đổi  1 doC.

5. Tính dẫn điện của chất bán dẫn tạp loại N do:

$         Hạt dẫn điện tử quyết đinh.

6. Tính dẫn điện của chất bán dẫn tạp loại P do:

$         Hạt dẫn lỗ trống quyết định

7.Các tính chất đặc trưng cho vật liệu từ là độ từ thẩm tương đối (µr), điện trở suất (ρ), hệ số nhiệt của điện trở suất (α).

$         Sai

8.***/ Tại nhiệt độ phòng, một miếng tinh thể silic nguyên chất hoạt động giống như

$         Chất dẫn điện kém

9.Dòng điện trong chất điện môi gồm có 2 thành phần là

$         Dòng điện phân cực và dòng điện rò

10.Vật liệu bán dẫn quang là hợp chất đặc biệt có liên kết hai, ba hoặc bốn thành phần của các nguyên tố thuộc

$                      Nhóm 3 và nhóm 5

11.Vật liệu cản điện dùng để chế tạo điện trở là

$                      Chất dẫn điện có điện trở suất cao

12.Trên thân điện trở thường được các nhà sản xuất ghi các tham số chính sau:

Trị số điện trở, dung sai của trị số điện trở, điện áp làm việc cho phép

$         Sai

13.Tecmixto là điện trở có hệ số nhiệt mang giá trị âm

$         Đúng

14.Khi sử dụng tụ điện chúng ta cần chú ý các tham số chính của chúng là: trị số dung lượng, dung sai, điện áp làm việc

$         Đúng

15.Tổn thất của cuộn cảm được biểu thị trong sơ đồ mạch tương đương bởi

$         Một điện trở nối tiếp với cuộn dây.

16.Biến áp cao tần dùng để truyền tín hiệu có chọn lọc thì dùng loại ghép lỏng,

còn biến áp cao tần dùng để biến đổi tổng trở thì dùng loại ghép chặt

$         Đúng

***/00017 Tụ hóa là loại tụ mà chất điện môi là dung dịch hóa học

$         Sai

***/00018 Varixto là điện trở mà trị số của nó được điều khiển bằng

$         Điện áp đặt lên nó

***/00019 Tụ xoay có thể có nhiều ngăn. Mỗi ngăn có các lá tĩnh và các lá động chế tạo từ đồng nguyên chất, đặt xen kẽ nhau

$         Sai

***/00020 Tính chất vật lý cơ bản của lớp tiếp xúc P-N là khả năng dẫn điện tốt khi được

phân cực thuận và phân cực ngược

$         Sai

***/00021 Khi tiếp xúc P-N phân cực thuận thì

$         Hàng rào thế năng giảm, bề dày lớp tiếp xúc giảm, điện trở lớp tiếp xúc giảm

***/00022 Khi tiếp xúc P-N phân cực thuận, dòng điện thuận chảy qua lớp tiếp xúc là do

$         Các hạt dẫn đa số khuếch tán qua lớp tiếp xúc tạo nên

***/00023 Nguyên lý hoạt động của điốt bán dẫn dựa vào tính dẫn điện một chiều của lớp tiếp xúc P-N

$         Đúng

***/00024 Trên thực tế, điốt bán dẫn được phân cực thuận khi điện áp đặt lên điốt phải:

$        Uak>=UD

 *****Đi ốt Sốt-ky. 

***/00026 Varicap là đi ốt bán dẫn có chức năng như môt:

$                      Tụ điện

***/00027 Đi ốt chỉnh lưu chỉ hoạt động khi ở chế độ phân cực thuận

$         Đúng

***/00028 Đặc tính cơ bản của đi ốt chỉnh lưu là

$         Giá trị dòng điện thuận cực đại và điện áp ngược cho phép

***/00029 Dòng điện ngược bão hòa của điốt bán dẫn sẽ là:

$         Xấp xỉ 2 lần đối với mỗi một sự tăng nhiệt độ lên 10doC

***/00030 Điốt  có khả năng biến đổi dòng điện xoay chiều thành một chiều được gọi là

$         Điốt chỉnh lưu.

***/00031 Điện áp ngược cho phép của điốt thường được chọn bằng

$         0,8 Uđ.t.

***/00032 Điốt Sôtky là loại điốt có lớp tiếp xúc:

$         Bán dẫn - kim loại

***/00033 Trong tranzito lưỡng cực loại N-P-N, hạt dẫn đa số trong phần gốc là

$         Các lỗ trống

***/00034 Khi tranzito hoạt động ở chế độ tích cực, lớp tiếp xúc phát-gốc được

$         Phân cực thuận.

***/00035 Khi tranzito hoạt động ở chế độ tích cực, lớp tiếp xúc góp-gốc được

$         Phân cực ngược.

***/00036 Phần gốc của các tranzito lưỡng cực rất mỏng và

$         Có độ pha tạp thấp hơn phần phát

***/00037 Trong một tranzito loại N-P-N được phân cực ở chế độ tích cực,

các điện tử trong phần phát có đủ năng lượng để vượt qua hàng rào thế năng của

$         Lớp tiếp xúc phát-gốc.

***/00038 Khi một điện tử tự do tái hợp với một lỗ trống trong phần gốc của tranzito thì điện tử tự do này sẽ trở thành

$         Một điện tử hóa trị.

***/00039 Yếu tố nào quan trọng nhất để nói về dòng điện cực góp (IC)?

$         Nó xấp xỉ bằng dòng điện cực phát (IE).

***/00040 Khi tranzito lưỡng cực hoạt động ở chế độ ngắt thì:

$         Tiếp xúc phát-gốc và tiếp xúc góp-gốc được phân cực ngược.

***/00041 Khi tranzito lưỡng cực hoạt động ở chế độ bão hòa thì

$         Tiếp xúc phát-gốc và tiếp xúc góp-gốc được phân cực thuận

***/00042 Khi tranzito lưỡng cực hoạt động ở chế độ tích cực thì

$         Tiếp xúc phát-gốc phân cực

thuận và tiếp xúc góp-gốc được phân cực ngược  

***/00043 Nguyên lý hoạt động của hai loại tranzito lưỡng cực P-N-P và N-P-N

là hoàn toàn giống nhau kể cả nguồn cung cấp bên ngoài đặt lên các chân cực?

$         Sai

***/00044 Trong vùng tích cực của một tranzito lưỡng cực chế tạo từ silic, điện áp gốc-phát (UBE) là

$         0,7 V

***/00045 Trong vùng bão hòa của một tranzito lưỡng cực, điện áp góp-phát (UCE) là

$         0,3 V

***/00046 Một tranzito loại NPN trong mạch điện được phân cực với các điện áp tĩnh là UBE = 0,7V; UCE = 0,2 V.

Hỏi tranzito đó hoạt động ở chế độ nào?

$         Bão hòa

***/00047 Một tranzito trong mạch điện được phân cực với các điện áp tĩnh là: UBE = 0 V; .Uce==Ec

Hỏi tranzito đó hoạt động ở chế độ nào?

$         Ngắt

***/00048 Tranzito được coi như một chuyển mạch khi hoạt động ở chế độ

$         Ngắt và bão hòa

***/00049 Trong tranzito lưỡng cực loại P-N-P hạt dẫn cơ bản nào tạo ra dòng điện góp?

$         Hạt dẫn lỗ trống

***/00050 Quan hệ giữa hệ số khuếch đại dòng điện α và β được mô tả qua công thức:

$        B=(a/(1-a)) 

***/00051 FET:

$                      Là một cấu kiện được điều khiển bằng điện áp

***/00052 Để tạo ra dòng điện trong mạch, một tranzito đơn cực sử dụng

$         Chỉ một loại hạt dẫn: hoặc điện tử tự do, hoặc lỗ trống

***/00053 Trở kháng vào của JFET

$         Rất lớn

***/00054 Điện áp cực Cửa của FET thực hiện việc điều khiển

$         Cả ba phương án còn lại

#         Độ rộng của kênh

#         Dòng điện máng

#         Điện áp “ngắt” tỉ lệ

***/00055 Lớp tiếp xúc P-N giữa cực Nguồn và cực Cửa của JFET cần phải:

$         Phân cực ngược

***/00056 Các hạt dẫn trong JFET kênh P là

$         Các lỗ trống

***/00057 Để FET hoạt động đa số ta phải phân cực sao cho các tiếp xúc P-N phải phân cực thuận và các hạt dẫn

phải chuyển động từ cực nguồn qua kênh về cực máng để tạo nên dòng điện trong FET?

$         Sai

***/00058 MOSFET kênh sẵn hoạt động ở trạng thái nghèo hạt dẫn gần như

$         Một JFET

***/00059 MOSFET kênh cảm ứng bắt đầu dẫn khi điện áp UGS bằng:

$         Điện áp ngưỡng (UGSth)

***/00060 Khi một JFET ở chế độ ngắt thì các lớp tiếp xúc P-N (lớp nghèo hạt dẫn) sẽ:

$         Trùm phủ lên nhau

***/00061 Trong một JFET kênh N, khi điện áp cực cửa càng âm hơn thì kênh dẫn nằm giữa hai lớp tiếp xúc sẽ trở nên:

$         Hẹp hơn

***/00062 Ở vùng thuần trở của đặc tuyến ra trong FET, dòng điện tỉ lệ với điện áp theo qui luật

$         Đường thẳng

***/00063 Ở vùng bão hòa của đặc tuyến ra trong FET, dòng điện tỉ lệ với điện áp theo qui luật

$         Không thay đổi 

***/00064 Vật liệu phần Nguồn và phần Máng của MOSFET kênh cảm ứng loại N là:

$         Bán dẫn tạp loại N

***/00065 Trở kháng vào của JFET có giá trị nằm trong khoảng:

$        10^10 - 10^13 o^m

***/00066 Trở kháng vào của MOSFET có giá trị nằm trong khoảng

$        10^13-10^15 o^m

***/00067 Vật liệu kênh dẫn của JFET kênh N là chất

$         Bán dẫn loại N

***/00068 Thyristo có thể sử dụng như:

$         Một công tắc chuyển mạch

***/00069 Để kích thích một cấu kiện thyristo dẫn điện ta sử dụng

$         Hồi tiếp dương.

***/00070 Dòng điện nào sau đây có thể bật thyristo dẫn điện

$         Dòng điện kích thích IG.

***/00071 Dòng điện anốt nhỏ nhất giữ cho thyristo dẫn điện được gọi là:

$         Dòng điện duy trì.

***/00072 Chỉnh lưu silic có điều khiển (SCR) có

$         Ba lớp tiếp xúc P-N.

***/ Để kích thích cho SCR dẫn điện người ta thường:

$         Kích thích cực điều khiển G.

***/00074 Triac tương đương với:

$         Hai SCR mắc song song và ngược chiều nhau.

***/00075 Điện áp cần thiết đặt lên cực phát của UJT để nó dẫn điện được gọi là:

$         Điện áp đỉnh UP 

***/00076 Vi mạch tích hợp là cấu kiện có ưu điểm cơ bản:

$         Tất cả các điều kể ở đây.

***/00077 Loại vi mạch tích hợp được sản xuất và sử dụng nhiều nhất là

$         Vi mạch bán dẫn.

***/00078 Công nghệ chế tạo vi mạch bán dẫn là:

$         Công nghệ plana và plana-epitaxi.

***/00079 Điốt trong vi mạch được tích hợp dưới dạng

$         Tranzito được nối tắt chân cực.

***/00080 Vi mạch khuếch đại thuật toán thuộc loại:

$         Vi mạch tuyến tính.

***/00081 Tầng vào của IC khuếch đại thuật toán là bộ khuếch đại vi sai để có:

$         Trở kháng vào lớn và hệ số khuếch đại lớn.

***/00082 IC khuếch đại thuật toán có

$         Hai lối vào và một lối ra.

***/00083 Một bộ khuếch đại thuật toán tốt cần có

$         Hệ số khuếch đại vi sai lớn và hệ số khuếch đại đồng pha nhỏ.

***/00084 Vi mạch số hiện nay được chế tạo trên cơ sở:

$         Các tranzito lưỡng cực và tranzito trường.

***/00085 Vi mạch số được sử dụng rộng rãi hiện nay là loại

$         Họ TTL và họ CMOS.

***/00086 Vi mạch nhớ là một cấu kiện điện tử có khả năng:

$         Lưu trữ dữ liệu và các chương trình điều khiển dưới dạng số nhị phân.

***/ ROM là bộ nhớ có khả năng đọc và viết?

$         Sai.

 ***/ RAM là bộ nhớ tạm thời, khi mất điện cung cấp thì tin tức trong nó bị xóa ngay?

$         Đúng.

 ***/ EPROM là bộ nhớ:

$         Có thể xóa đi và viết lại.

***/ LSI là vi mạch tích hợp có chứa

$         Lớn hơn 100 phần tử.